實時成像鎖相紅外熱成像系統圖像分析 歡迎咨詢 蘇州致晟光電科技供應

鎖相紅外熱成像系統儀器搭載的高分辨率紅外焦平面陣列（IRFPA），是實現目標熱分布可視化的部件，其性能直接決定了熱圖像的清晰度與測溫精度。目前主流系統采用的紅外焦平面陣列分辨率可達 640×512 或 1280×1024，像素間距多為 15-25μm，陣列單元采用碲鎘汞（MCT）、銻化銦（InSb）或非晶硅微測輻射熱計等敏感材料。當目標的紅外熱輻射通過光學鏡頭聚焦到焦平面陣列上時，每個像素單元會根據接收的熱輻射能量產生相應的電信號 —— 不同像素單元的電信號差異，對應目標表面不同區域的溫度差異。這些電信號經信號調理電路放大、模數轉換后，傳輸至圖像處理模塊，結合鎖相處理后的有效熱信號數據，轉化為灰度或偽彩色熱圖像。其中，偽彩色熱圖像通過不同顏色映射不同溫度區間，可直觀呈現目標的熱分布細節，如高溫區域以紅色標注，低溫區域以藍色標注，幫助檢測人員快速定位熱異常區域。此外，部分儀器還支持實時圖像拼接與放大功能，進一步提升了復雜大型目標的檢測便利性。系統支持動態熱分析，為工藝優化提供直觀依據。實時成像鎖相紅外熱成像系統圖像分析

通過自主研發的實時瞬態鎖相熱分析系統(RTTLIT)通常由周期性激勵源、高靈敏度紅外探測器、鎖相解調單元及圖像處理軟件組成，其中鎖相解調單元通過同步采集激勵信號與紅外探測信號，計算兩者的相位差與幅值，從而將隱藏在噪聲中的微弱熱信號分離出來。這種技術特性使其突破了傳統紅外檢測在低對比度、強噪聲場景下的局限性，尤其適用于需要對微小熱異常進行定量分析的場景，為工業檢測、科研探索等領域提供了更高精度的熱成像解決方案。芯片用鎖相紅外熱成像系統售價RTTLIT 系統通過向目標樣品施加特定頻率的電激勵，使其產生與激勵頻率一致的熱響應。

在半導體、微電子和功率器件領域，產品的性能與壽命往往取決于對熱效應的精細控制。然而，傳統的熱成像手段受限于靈敏度和分辨率，難以滿足現代高密度芯片和復雜封裝工藝的需求。鎖相紅外熱成像技術（Lock-in Thermography，簡稱LIT）憑借調制信號與熱響應的相位差分析，能夠有效放大微弱熱源信號，實現納瓦級的熱異常定位。這一突破性手段為失效分析提供了前所未有的精細性。致晟光電在該領域深耕多年，結合自身研發的熱紅外顯微鏡與InGaAs微光顯微鏡，為行業客戶提供了一套完整的高靈敏度檢測解決方案，廣泛應用于芯片短路點定位、功率器件散熱優化以及復合材料缺陷檢測，為半導體產業鏈的可靠性提升注入新動能。

具體工作流程中，當芯片處于通電工作狀態時，漏電、短路等異常電流會引發局部焦耳熱效應，產生皮瓦級至納瓦級的極微弱紅外輻射。這些信號經 InGaAs 探測器轉換為電信號后，通過顯微光學系統完成成像，再經算法處理生成包含溫度梯度與空間分布的高精度熱圖譜。相較于普通紅外熱像儀，Thermal EMMI 的技術優勢體現在雙重維度：一方面，其熱靈敏度可低至 0.1mK，能捕捉傳統設備無法識別的微小熱信號；另一方面，通過光學系統與算法的協同優化，定位精度突破至亞微米級，可將缺陷精確鎖定至單個晶體管乃至柵極、互聯線等更細微的結構單元，為半導體失效分析提供了前所未有的技術支撐。非接觸檢測，保護樣品原始狀態。

相較于傳統靜態熱成像技術，鎖相紅外技術在檢測原理、抗干擾能力與適用場景上實現了***升級，徹底改變了熱成像 “粗略溫度測繪” 的局限。傳統靜態熱成像的**局限在于 “瞬時性” 與 “易干擾性”：它*能捕捉檢測對象某一時刻的靜態溫度分布，無法持續追蹤溫度變化規律，且極易受環境因素影響 —— 比如周圍環境的熱輻射、氣流擾動帶來的溫度波動，都會掩蓋檢測對象的真實溫度信號，導致對微小缺陷或深層問題的判斷出現偏差，尤其在檢測精度要求高的場景中，傳統靜態熱成像往往難以滿足需求。提高信噪比，是鎖相紅外的優勢之一。芯片用鎖相紅外熱成像系統售價

熱像圖分析分三步：整體觀、精定位、判類型，速縮失效分析周期。實時成像鎖相紅外熱成像系統圖像分析

鎖相紅外熱成像系統的成像優勢重要在于相位敏感檢測技術，這一技術從根本上解決了傳統紅外成像受背景噪聲干擾的難題。在工業檢測場景中，目標設備表面常存在環境光反射、氣流擾動等干擾因素，導致傳統紅外成像難以捕捉微小的溫度異常。而鎖相紅外熱成像系統通過將目標紅外輻射與預設的參考信號進行鎖相處理，能精細篩選出與參考信號頻率、相位一致的目標信號，有效抑制背景噪聲。例如在電力設備檢測中，該系統可清晰呈現高壓線路接頭處的微弱過熱區域，成像對比度較傳統技術提升 30% 以上，為設備故障預警提供高精細度的視覺依據。實時成像鎖相紅外熱成像系統圖像分析